近日中國電科公布一系列成果，顯示在國産碳化矽（SiC）設備及器件上取得突破。
圖：中電科55所生産線
4月17日，中國電科宣布旗下55所與一汽聯合研發的首款750V碳化矽功率芯片完成流片，首款全國産1200V塑封2in1碳化矽功率模塊完成A樣件試制。
報道稱，750V碳化矽功率芯片技術達到國際先進水平，目前已正式進入産品級測試階段。
在2in1碳化矽功率模塊項目中，雙方技術團隊圍繞新結構、新工藝、新材料開展聯合攻關，實現芯片襯底與外延材料制備、芯片晶圓設計與生産、封裝結構設計、塑封工藝開發與模塊試制等關鍵環節全流程自主創新。
圖：中電科SiC MOSFET産線（CCTV）
據CCTV報道，55所此前已在國内率先突破了6英寸碳化矽MOSFET批産技術，碳化矽MOSFET器件在新能源汽車上批量應用，裝車量達百萬輛，處于國内領先地位，5G基站用氮化镓功率管和高線性二極管等系列産品性能及可靠性國内領先。
同時，在SiC定制化和研發難度較高的設備端，中國電科48所研制的碳化矽外延爐出貨量同比大幅增長。
據悉，由于碳化矽材料高熔點、高密度、高硬度的特性，使芯片具備了耐高壓、耐高溫、低損耗等優越性能，碳化矽外延生長爐是晶圓制造環節的專用核心裝備。
圖：中電科48所SiC外延生長設備
碳化矽外延生長爐，主要用于在碳化矽晶圓襯底上生長同質外延材料，每一顆碳化矽芯片都是基于外延層制造的結晶。48所技術專家表示，碳化矽外延生長爐是承接襯底和芯片制造的關鍵環節，直接影響芯片的等級和良率。
早期國内碳化矽外延片研究和生産幾乎全部依賴進口，48所通過自主研發，研制出完全對标國外設備性能的6英寸碳化矽外延爐，經過用戶上線使用驗證，設備的技術指标均達到行業應用的主流水平，有力支撐了國産碳化矽芯片産業的大規模快速發展。
據報道，随着國家第三代半導體技術創新中心（湖南）的實體化運行，48所以外延、注入、氧化、激活等專用裝備爲核心，結合立式擴散爐、PVD等通用設備和半導體芯片生産線建線經驗，實現國内唯一從碳化矽外延到芯片核心設備的全覆蓋，進一步助力國産碳化矽芯片制造“換道超車”。
文章來源：芯片大師
