導電型4H-SiC襯底晶片
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導電型4H-SiC襯底晶片
晶片尺寸：4~6英寸
晶片厚度：350 μm ± 15 μm
電阻率：0.015~0.024 Ω·cm
産品用途：産品主要于制造SiC電力電子
器件及SiC襯底上GaN光電子器件。
導電型4H-SiC外延晶片
導電型4H-SiC晶體
晶體尺寸：4~6英寸
電阻率：0.015~0.024 Ω·cm
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