3月14日，三菱電機官網宣布，他們計劃建設新的晶圓廠，以加強SiC功率半導體的生産。
根據公告，三菱電機将在2021财年至2025财年向功率器件業務投資2600億日元（約合人民币133億元），投資金額是之前宣布的投資計劃的兩倍。
其中，約1000億日元（約合人民币51億元）将用于建造一個新的8英寸SiC晶圓廠，并增強相關的生産設施，以應對電動汽車市場的擴張需求。
新的8英寸SiC晶圓廠渲染圖
據了解，三菱電機的新工廠将建在日本熊本縣，主要用于生産大直徑8英寸SiC晶圓，并通過引入具有最先進節能性能的潔淨室設備，實現高效率生産。同時，三菱電機還将加強其6英寸SiC晶圓的生産設施，以進一步擴大業務。
三菱電機早在1994年就開始碳化矽技術的研發和應用，多年來他們已經率先将碳化矽技術應用在了家電、工業設備、軌道車輛等領域。而這次建設新的産線，主要是爲了進軍新能源汽車市場。
從技術路線來看，根據三菱電機的公開資料，他們已經開發了3代SiC MOSFET技術，前兩代爲平面栅技術，而第三代有2個路線——内置SBD和溝槽栅MOSFET。
早在2019年9月，三菱電機便宣布開發出了溝槽型SiC MOSFET，他們将之稱爲“MIT2-MOS”。
該架構采用多離子傾斜注入技術, 實現了“低栅氧場強”和“低溝道電阻”，導通電阻1.84mΩcm²，擊穿電壓超過1500V。并且三菱電機還表示，這種架構無需特殊工藝，可生産性強。
來源：行家說三代半
